參數(shù)資料
型號： IRFP254A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.14Ω，漏電流為25A）)
中文描述： 25 A, 250 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 1053K
代理商： IRFP254A
IRFP254A
BV
DSS
= 250 V
R
DS(on)
= 0.14
I
D
= 25 A
250
25
15.9
100
±
30
781
25
22.1
4.8
221
1.79
- 55 to +150
300
0.56
--
40
--
0.24
--
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current: 10
μ
A (Max.) @ V
DS
= 250V
Low R
DS(ON)
: 0.108
(Typ.)
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
°
C/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
°
C)
Continuous Drain Current (T
C
=100
°
C)
Drain Current-Pulsed
(1)
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(2)
Avalanche Current
(1)
Repetitive Avalanche Energy
(1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(2)
Total Power Dissipation (T
C
=25
°
C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds
Characteristic
Value
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
°
C
A
°
C
TO-3P
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP254 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為250V，導(dǎo)通電阻為0.14Ω，漏電流為25A）)
IRFP340A N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為400V，導(dǎo)通電阻為0.55Ω，漏電流為11A）)
IRFP340B 400V N-Channel MOSFET
IRFP350A Advanced Power MOSFET
IRFP350 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為400V，導(dǎo)通電阻為0.3Ω，漏電流為17A）)
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參數(shù)描述
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