參數(shù)資料
型號: IRFP350
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管(漏源電壓為400V,導(dǎo)通電阻為0.3Ω,漏電流為17A))
中文描述: 16 A, 400 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝: TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù): 6/7頁
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代理商: IRFP350
IRFP350
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP440A N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管(漏源電壓為500V,導(dǎo)通電阻為0.85Ω,漏電流為8.5A))
IRFP440 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管(漏源電壓為500V,導(dǎo)通電阻為0.85Ω,漏電流為8.5A))
IRFP460C 500V N-Channel MOSFET
IRFR034 N-Channel Power MOSFET(23A,60V,0.04Ω)(N溝道功率MOS場效應(yīng)管(漏電流23A, 漏源電壓60V,導(dǎo)通電阻0.04Ω))
IRFR110A Advanced Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP350A 功能描述:MOSFET 400V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP350FI 功能描述:MOSFET REORDER 620-IRFP350 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP350LC 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP350LCPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP350LCPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET