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參數資料
| 型號： | IRFR210B |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 2.7 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 655K |
| 代理商： | IRFR210B |
Rev. B, November 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
I
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 100V
V
DS
= 40V
V
DS
= 160V
※
Note : I
D
= 3.3 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
Ω
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
※
Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
100
200
300
400
500
C
oss
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
-1
10
0
10
1
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
I
D
,
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU210B | 200V N-Channel MOSFET |
| IRFRU120A | Advanced Power MOSFET |
| IRFR120A | Advanced Power MOSFET |
| IRFU120A | Advanced Power MOSFET |
| IRFRU220A | Advanced Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFR210BTF | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFR210BTF_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR210BTM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| IRFR210BTM_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR210BTMFP001 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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