參數(shù)資料
型號(hào)： IRFR210B
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 200V N-Channel MOSFET
中文描述： 2.7 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 655K
代理商： IRFR210B
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2001
I
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU210B 200V N-Channel MOSFET
IRFRU120A Advanced Power MOSFET
IRFR120A Advanced Power MOSFET
IRFU120A Advanced Power MOSFET
IRFRU220A Advanced Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFR210BTF 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFR210BTF_FP001 功能描述:MOSFET 200V N-Ch B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR210BTM 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
IRFR210BTM_FP001 功能描述:MOSFET 200V N-Ch B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR210BTMFP001 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*