參數(shù)資料
型號(hào)： IRFRU220A
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 先進(jìn)的功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 265K
代理商： IRFRU220A
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by “R
G
”
I
S
controlled by Duty Factor “D”
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
IRFR/U220A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS140A N-Channel Power MOSFET（23A，60V，0.04Ω）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流23A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.04Ω）)
IRFS150A N-Channel Power MOSFET（100V，0.04Ω，31A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓100V，導(dǎo)通電阻0.04Ω，漏電流31A）)
IRFS240A N-Channel Power MOSFET（200V，0.18Ω，12.8A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓200V，導(dǎo)通電阻0.18Ω，漏電流12.8A）)
IRFS244A N-Channel Power MOSFET（250V，0.28Ω，10.2A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓250V，導(dǎo)通電阻0.28Ω，漏電流10.2A）)
IRFS244 N-Channel Power MOSFET（250V，0.28Ω，10.2A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓250V，導(dǎo)通電阻0.28Ω，漏電流10.2A）)
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參數(shù)描述
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IRFRU5410 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)
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