參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS150A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel Power MOSFET（100V，0.04Ω，31A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓100V，導(dǎo)通電阻0.04Ω，漏電流31A）)
中文描述： 31 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大?。?/td> 259K
代理商： IRFS150A
N-C HANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by “R
G
”
I
S
controlled by Duty Factor “D”
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
IRFS150A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS240A N-Channel Power MOSFET（200V，0.18Ω，12.8A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓200V，導(dǎo)通電阻0.18Ω，漏電流12.8A）)
IRFS244A N-Channel Power MOSFET（250V，0.28Ω，10.2A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓250V，導(dǎo)通電阻0.28Ω，漏電流10.2A）)
IRFS244 N-Channel Power MOSFET（250V，0.28Ω，10.2A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓250V，導(dǎo)通電阻0.28Ω，漏電流10.2A）)
IRFS250A N-Channel Power MOSFET（200V，0.085Ω，21.3A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓200V，導(dǎo)通電阻0.085Ω，漏電流21.3A）)
IRFS254A N-Channel Power MOSFET（250V，0.14Ω，16A）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏源電壓250V，導(dǎo)通電阻0.14Ω，漏電流16A）)
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參數(shù)描述
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IRFS17N20DTRL 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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