- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄379239 > IRFS244 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) N-Channel Power MOSFET（250V，0.28Ω，10.2A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓250V，導通電阻0.28Ω，漏電流10.2A）) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRFS244 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFET（250V，0.28Ω，10.2A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓250V，導通電阻0.28Ω，漏電流10.2A）) |
| 中文描述： | 10.2 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | IRFS244 |
IRFS244
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
150
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= 40 V
3. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
15
30
45
60
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
= shorted
)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
0
5
10
V
DS
= 200 V
V
DS
= 125 V
V
DS
= 50 V
@ Notes : I
D
= 14.0 A
V
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS250A | N-Channel Power MOSFET（200V，0.085Ω，21.3A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓200V，導通電阻0.085Ω，漏電流21.3A）) |
| IRFS254A | N-Channel Power MOSFET（250V，0.14Ω，16A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓250V，導通電阻0.14Ω，漏電流16A）) |
| IRFS254 | N-Channel Power MOSFET（250V，0.14Ω，16A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓250V，導通電阻0.14Ω，漏電流16A）) |
| IRFS340 | N-Channel Power MOSFET（400V，0.55Ω，8A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓400V，導通電阻0.55Ω，漏電流8A）) |
| IRFS350 | N-Channel Power MOSFET（400V，0.3Ω，11.5A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓400V，導通電阻0.3Ω，漏電流11.5A）) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFS244A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
| IRFS244B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| IRFS244B_FP001 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS250 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| IRFS250A | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Advanced Power MOSFET |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。