參數(shù)資料
型號： IRFS254A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Power MOSFET（250V，0.14Ω，16A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓250V，導通電阻0.14Ω，漏電流16A）)
中文描述： 16 A, 250 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 235K
代理商： IRFS254A
IRFS254A
BV
DSS
= 250 V
R
DS(on)
= 0.14
I
D
= 16 A
250
16
10.1
100
±
30
640
16
9
4.8
90
0.72
- 55 to +150
300
1.38
40
--
--
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current: 10
μ
A (Max.) @ V
DS
= 250V
Low R
DS(ON)
: 0.108
(Typ.)
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
R
θ
JC
R
θ
JA
°
C/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
°
C)
Continuous Drain Current (T
C
=100
°
C)
Drain Current-Pulsed
(1)
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(2)
Avalanche Current
(1)
Repetitive Avalanche Energy
(1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(3)
Total Power Dissipation (T
C
=25
°
C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds
Characteristic
Value
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
°
C
A
°
C
TO-3PF
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS254 N-Channel Power MOSFET（250V，0.14Ω，16A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓250V，導通電阻0.14Ω，漏電流16A）)
IRFS340 N-Channel Power MOSFET（400V，0.55Ω，8A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓400V，導通電阻0.55Ω，漏電流8A）)
IRFS350 N-Channel Power MOSFET（400V，0.3Ω，11.5A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓400V，導通電阻0.3Ω，漏電流11.5A）)
IRFS440 N-Channel Power MOSFET（500V，0.85Ω，6.2A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓500V，導通電阻0.85Ω，漏電流6.2A）)
IRFS610A N-Channel Power MOSFET（200V，1.5Ω，2.5A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓200V，導通電阻1.5Ω，漏電流2.5A）)
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參數(shù)描述
IRFS254B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
IRFS254B_FP001 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS254BFP001 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFS3004-7PPBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS3004-7PPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Transistor
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