- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379239 > IRFS350 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) N-Channel Power MOSFET（400V，0.3Ω，11.5A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓400V，導(dǎo)通電阻0.3Ω，漏電流11.5A）) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRFS350 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFET（400V，0.3Ω，11.5A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓400V，導(dǎo)通電阻0.3Ω，漏電流11.5A）) |
| 中文描述： | 11.5 A, 400 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3PF, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 249K |
| 代理商： | IRFS350 |
IRFS350
1(/
32:(
502
6(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS440 | N-Channel Power MOSFET（500V，0.85Ω，6.2A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓500V，導(dǎo)通電阻0.85Ω，漏電流6.2A）) |
| IRFS610A | N-Channel Power MOSFET（200V，1.5Ω，2.5A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓200V，導(dǎo)通電阻1.5Ω，漏電流2.5A）) |
| IRFS624B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRF624 | 250V N-Channel MOSFET |
| IRF624B | 250V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFS3507 | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFS3507PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 97A;D2Pak;PD 190W;VGS +/-20V 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 75V 97A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 75V D2-PAK |
| IRFS3507TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFS350A | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS351 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。