- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379239 > IRFS630A (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Advanced Power MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFS630A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Advanced Power MOSFET |
| 中文描述： | 6.5 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 261K |
| 代理商： | IRFS630A |
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
IRFS630A
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 1 5 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
150
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= 40 V
3. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
5
10
I
D
, Drain Current [A]
15
20
25
30
35
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
D
]
D
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
10
0
10
1
0
200
400
600
800
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted )
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
5
10
15
20
25
0
5
10
V
DS
= 160 V
V
DS
= 100 V
V
DS
= 40 V
@ Notes : I
D
= 9.0 A
V
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS630B | 200V N-Channel MOSFET |
| IRF630B | 200V N-Channel MOSFET |
| IRFS634B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRF634B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRFS640A | N-Channel Power MOSFET（200V，0.18Ω，9.8A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓200V，導(dǎo)通電阻0.18Ω，漏電流9.8）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFS630B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| IRFS630B_FP001 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS631 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | SOT-186 |
| IRFS634 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220VAR |
| IRFS634A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSEFT |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。