參數(shù)資料
型號： IRFS630A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 6.5 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 261K
代理商： IRFS630A
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by “R
G
”
I
S
controlled by Duty Factor “D”
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
IRFS630A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS630B 200V N-Channel MOSFET
IRF630B 200V N-Channel MOSFET
IRFS634B 250V N-Channel MOSFET
IRF634B 250V N-Channel MOSFET
IRFS640A N-Channel Power MOSFET（200V，0.18Ω，9.8A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓200V，導(dǎo)通電阻0.18Ω，漏電流9.8）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS630B 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
IRFS630B_FP001 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS631 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | SOT-186
IRFS634 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220VAR
IRFS634A 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSEFT
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