參數資料
型號： IRFS634B
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V N-Channel MOSFET
中文描述： 8.1 A, 250 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數： 6/10頁
文件大?。?/td> 859K
代理商： IRFS634B
Rev. A, November 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
I
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
GS
V
DS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
--------------------
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料
PDF描述
IRF634B 250V N-Channel MOSFET
IRFS640A N-Channel Power MOSFET（200V，0.18Ω，9.8A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓200V，導通電阻0.18Ω，漏電流9.8）)
IRFS710A N-Channel Power MOSFET（400V，3.6Ω，1.6A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓400V，導通電阻3.6Ω，漏電流1.6A）)
IRFS730A N-Channel Power MOSFET（400V，1.0Ω，3.9A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓400V，導通電阻1.0Ω，漏電流3.9A）)
IRFS740A N-Channel Power MOSFET（400V，0.55Ω，5.7A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓400V，導通電阻0.55Ω，漏電流5.7A）)
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFS634B_FP001 功能描述:MOSFET 250V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS634BT 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel
IRFS634BT_FP001 功能描述:MOSFET 250V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS635 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-220VAR
IRFS640 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*