參數(shù)資料
型號： IRFS820B
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 500V N-Channel MOSFET
中文描述： 2.5 A, 500 V, 2.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 858K
代理商： IRFS820B
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, November 2001
I
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF830A N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應管（漏源電壓為500V，導通電阻為1.5Ω，漏電流為4.5A）)
IRF830B 500V N-Channel MOSFET
IRFS830B 500V N-Channel MOSFET
IRF830S N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應管（漏源電壓為500V，導通電阻為1.5Ω，漏電流為4.5A）)
IRF831 N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS820BT 功能描述:MOSFET 500V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS821 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220VAR
IRFS822 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-220VAR
IRFS823 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-220VAR
IRFS830 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
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