參數(shù)資料
型號: IRFU13N15D
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 150伏時(shí),RDS(on)的最大值\u003d 0.18ohm,身份證\u003d 14A條)
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代理商: IRFU13N15D
6
www.irf.com
IRFR13N15D/IRFU13N15D
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
40
80
120
160
200
240
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
3.4A
5.9A
8.3A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR13N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A)
IRFU13N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)
IRFR13N20 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)
IRFR13N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)
IRFU18N15DPBF SMPS MOSFET
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IRFU13N20DPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 14A 235mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU15N20D 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET
IRFU15N20DPBF 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 165mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube