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參數(shù)資料
| 型號： | IRFU18N15DPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的開關(guān)電源 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 229K |
| 代理商： | IRFU18N15DPBF |
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFET Power MOSFETs
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU1N60APbF | SMPS MOSFET |
| IRFU210 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.6A) |
| IRFR210 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.6A) |
| IRFU2405PbF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU24N15D | SMPS MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFU1920 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFU1N60A | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU1N60APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU210 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU210A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-251AA |
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