參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU2405PbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 228K
代理商： IRFU2405PBF
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
40
80
120
160
200
240
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
14A
24A
34A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU24N15D SMPS MOSFET
IRFR24N15D SMPS MOSFET
IRFU320 3.1A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR320 0.4A, 400V, 3.607 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(15A, 50V, 0.150 Ω,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFU320 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=3.1A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU2407 功能描述:MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU2407PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 75V 42A I-PAK
IRFU24N15D 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET
IRFU24N15DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 150V 24A I-PAK
IRFU2605 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=19A)
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