參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU3504ZPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大?。?/td> 279K
代理商： IRFU3504ZPBF
2
www.irf.com
S
D
G
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
gfs
Forward Transconductance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min.
40
–––
–––
2.0
32
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.032
–––
8.23
9.0
–––
4.0
–––
–––
–––
20
–––
250
–––
200
–––
-200
30
45
9.6
–––
12
–––
15
–––
74
–––
30
–––
38
–––
4.5
–––
V
V/°C
m
V
S
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Internal Drain Inductance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
L
D
nC
ns
Between lead,
nH
6mm (0.25in.)
from package
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1510
340
190
1100
340
460
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
42
A
–––
–––
310
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
18
9.2
1.3
27
14
V
ns
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 32V
V
GS
= 10V
V
DD
= 20V
I
D
= 42A
R
G
= 15
V
GS
= 10V
T
J
= 25°C, I
S
= 42A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 42A, V
DD
= 20V
di/dt = 100A/μs
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 42A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 10V, I
D
= 42A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
I
D
= 42A
V
DS
= 32V
Conditions
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PDF描述
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IRFR410 1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs(1.5A, 500V, 7.000 Ω N溝道MOSFET)
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