參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU410
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 1.5 A, 500 V, 7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商： IRFU410
4-404
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. UNCLAMPED INDUCTIVE SWITCHING
FIGURE 6. OUTPUT CHARACTERISTICS, T
C
= 25
o
C
FIGURE 7. OUTPUT CHARACTERISTICS, T
C
= 150
o
C
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
Z
θ
J
N
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
SINGLE PULSE
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
0.1
1
10
10
-1
0.1
1
NOTES:
DUTY FACTOR D = t
1
/t
2
T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
T
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY r
DS(ON)
100
μ
s
1ms
10ms
DC
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
D
10
1
0.10
0.01
1
10
100
1000
T
J
= MAX RATED, SINGLE PULSE
T
C
= 25
C
STARTING T
J
= 25
o
C
STARTING T
J
= 150
o
C
IF R = D
t
AV
= (L)(I
AS
)/(1.3 RATED BV
DSS
- V
DD
)
IF R
≠
D
t
AV
= (L/R) IN [(I
DS
X R)/(1.3 RATED BV
DSS
- V
DD
) + 1]
t
AV
, TIME IN AVALANCHE (ms)
I
A
,
5.0
I
DM
1.0
0.5
0.5
0.010
0.100
1
3
1
0.1
0.1
1
10
100
500
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
T
C
= 25
C
TOP
3
1
0.1
0.1
1
10
100
500
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
TOP
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
T
C
= 150
C
IRFR410, IRFU410
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR410 1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs(1.5A, 500V, 7.000 Ω N溝道MOSFET)
IRFZ20 HEXFET TRANSISTORS
IRFZ22 HEXFET TRANSISTORS
IRFZ24L HEXFET Power MOSFET
IRFZ24S HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU4104 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A)
IRFU4104-701PBF 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A IPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU4104PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU4105 功能描述:MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU4105PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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