參數(shù)資料
型號： IRFZ24L
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 361K
代理商： IRFZ24L
IRFZ24S/L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ24S HEXFET Power MOSFET
IRFZ44E MOV 230V RMS 17MM HIGH ENERGY
IRFZ44L HEXFET Power MOSFET
IRFZ44S HEXFET Power MOSFET
IRFZ44ZLPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 13.9mヘ , ID = 51A )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ24LPBF 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFZ24N 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
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IRFZ24NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 17A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRFZ24NL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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