型號: | IRFZ44ZSPBF |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 13.9mヘ , ID = 51A ) |
中文描述: | ㈢的HEXFET功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 55V的,的RDS(on)\u003d十三點(diǎn)九米ヘ,身份證\u003d 51A條) |
文件頁數(shù): | 13/13頁 |
文件大?。?/td> | 295K |
代理商: | IRFZ44ZSPBF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFZ46NL | Male Disconnect Solderless Terminal; Wire Size (AWG):16-14; Tab Width:0.187"; Insulator Color:Blue RoHS Compliant: Yes |
IRFZ46NS | HEXFET POWER MOSFET |
IRFZ46NSTRR | HEXFET POWER MOSFET |
IRFZ46 | RES 5.1K-OHM 5% 0.25W 200PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA |
IRFZ46N | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=16.5mohm, Id=53A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFZ44ZSTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 51A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
IRFZ44ZSTRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 51A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
IRFZ44ZSTRRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFZ45 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
IRFZ46 | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |