參數(shù)資料
型號： IRFZ46NS
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 263K
代理商： IRFZ46NS
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operation outside rated limits.
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junction temperature. Package limitation current is 39A.
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ46NSTRR HEXFET POWER MOSFET
IRFZ46 RES 5.1K-OHM 5% 0.25W 200PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA
IRFZ46N Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=16.5mohm, Id=53A)
IRFZ46NSTRL HEXFET POWER MOSFET
IRFZ46Z AUTOMOTIVE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ46NSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 53A 3PIN D2PAK - Bulk
IRFZ46NSPBF 功能描述:MOSFET 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ46NSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ46NSTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 53A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRFZ46NSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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