參數(shù)資料
型號： IRFZ48ZS
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 280K
代理商： IRFZ48ZS
8
www.irf.com
Fig 17.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Recovery
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"!!
!"!!%"
#$$
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
&'
#
≤ 1
(
≤ 0.1 %
+
-
Fig 18a.
Switching Time Test Circuit
Fig 18b.
Switching Time Waveforms
相關PDF資料
PDF描述
IRG4BC10K Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4BC10S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
IRG4BC20FD-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT
IRG4BC20MD-SPBF 400 W Transient Voltage Suppressor, SOD123W (SOD2 FlatPower), Reel Pack, SMD
IRG4BC30KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast 1GBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ48ZSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 61A 3PIN D2PAK - Bulk
IRFZ48ZSPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 61A 11mOhm 43nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRG 4BC15UDPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk
IRG 4PC40UDPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk
IRG 4PC40WPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:
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