參數(shù)資料
型號： IRG4BC10K
廠商： International Rectifier
英文描述： Short Circuit Rated UltraFast IGBT
中文描述： 短路額定IGBT的超快速
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 158K
代理商： IRG4BC10K
4/24/2000
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 2.39V
@V
GE
= 15V, I
C
= 5.0A
IRG4BC10K
Short Circuit Rated
UltraFast IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Parameter
Typ.
–––
0.5
–––
2.0 (0.07)
Max.
3.3
–––
80
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
www.irf.com
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
°C/W
g (oz)
Thermal Resistance
E
C
G
n-channel
TO-220AB
Features
Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high
operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit
Rated to 10μs @ 125
°
C, V
GE
= 15V
Generation 4 IGBT design provides higher efficiency
than Generation 3
Industry standard TO-220AB package
Benefits
Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
IGBTs optimized for specified application conditions
1
Parameter
Max.
600
9.0
5.0
18
18
10
± 20
34
38
15
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25
°
C
I
C
@ T
C
= 100
°
C
I
CM
I
LM
t
sc
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25
°
C
P
D
@ T
C
= 100
°
C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Short Circuit Withstand Time
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.
A
μs
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )
10 lbf
in (1.1N
m)
°
C
Absolute Maximum Ratings
W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC10S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
IRG4BC20FD-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT
IRG4BC20MD-SPBF 400 W Transient Voltage Suppressor, SOD123W (SOD2 FlatPower), Reel Pack, SMD
IRG4BC30KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast 1GBT
IRG4BC40W INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC10KD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220
IRG4BC10KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IRG4BC10S 功能描述:IGBT UFAST 600V 14.0A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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