參數資料
型號: IRG4BC10K
廠商: International Rectifier
英文描述: Short Circuit Rated UltraFast IGBT
中文描述: 短路額定IGBT的超快速
文件頁數: 3/8頁
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代理商: IRG4BC10K
IRG4BC10K
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
5μs PULSE WIDTH
1
10
100
1.0
2.0
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
°
1
10
100
5
10
15
20
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
°
0
2
4
6
8
10
12
14
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
L
A
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125
°
C
T = 90
°
C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 9.2 W
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
相關PDF資料
PDF描述
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IRG4BC20MD-SPBF 400 W Transient Voltage Suppressor, SOD123W (SOD2 FlatPower), Reel Pack, SMD
IRG4BC30KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast 1GBT
IRG4BC40W INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
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