參數(shù)資料
型號： IRG4BC30KDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast 1GBT
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管短路額定超快速1GBT
文件頁數(shù)： 2/11頁
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代理商： IRG4BC30KDPBF
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC40W INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4BH20K-L INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BH20K-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC20KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC20UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC30KDS 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4BC30KD-S 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT D2-PAK
IRG4BC30KD-SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 28A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRG4BC30KD-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC30KD-STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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