參數(shù)資料
型號： IRG4BC40W
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 2.05V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 20A條）
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代理商： IRG4BC40W
IRG4BC40W
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
80μs PULSE WIDTH
T = 150 C
T = 25 C
°
1
10
100
1000
5
7
9
11
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
T = 25 C
L
0
10
20
30
40
50
0.1
1
10
100
1000
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
Ideal diodes
S quare wave:
For both:
Duty cycle: 50%
TJ
°
C
Tsink
°
C
Gate drive as specified
Power D issip ation = 28W
Triangular wave:
C lamp voltage:
80% of rated
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BH20K-L INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BH20K-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC20KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC20UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC20KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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參數(shù)描述
IRG4BC40WHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRG4BC40WL 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BC40W-LPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IRG4BC40WS 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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