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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4IBC20FD |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 10/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 230K |
| 代理商： | IRG4IBC20FD |
IRG4IBC20UD
10
www.irf.com
Repetitive rating: V
GE
=20V; pulse width limited by maximum junction tem-
perature (figure 20)
V
CC
=80%(V
CES
), V
GE
=20V, L=10μH, R
G
= 50
(figure 19)
Pulse width
≤
80μs; duty factor
≤
0.1%.
Pulse width 5.0μs, single shot.
t = 60s, f = 60Hz
3- EMITTER
NOTES:
1 D IMEN SION ING & TOLE R ANC IN G
P ER ANSI Y14.5M , 1982
2 C ON TROLLING D IME NS ION : IN CH .
D
C
A
B
M INIMU M C REEP AGE
D ISTAN CE BETW EEN
A -B -C -D = 4.80 (.189)
3X
2.85 (.112)
2.65 (.104)
2.80 (.110)
2.60 (.102)
4.80 (.189)
4.60 (.181)
7.10 (.280)
6.70 (.263)
3.40 (.133)
3.10 (.123)
- A -
3.70 (.145)
3.20 (.126)
1.15 (.045)
MIN.
3.30 (.130)
3.10 (.122)
- B -
0.90 (.035)
0.70 (.028)
3X
0.25 (.010)
M
A M B
2.54 (.100)
2X
3X
13.70 (.540)
13.50 (.530)
16.00 (.630)
15.80 (.622)
1 2 3
10.60 (.417)
10.40 (.409)
1.40 (.055)
1.05 (.042)
0.48 (.019)
0.44 (.017)
LEAD ASSIGMENTS
1- GATE
2- COLLECTOR
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
IR EUROPEAN REGIONAL CENTRE:
439/445 Godstone Rd, Whyteleafe, Surrey CR3 OBL, UK Tel: ++ 44 (0)20 8645 8000
IR CANADA:
15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 (0) 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 011 451 0111
IR JAPAN:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo 171 Tel: 81 (0)3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 (0)838 4630
IR TAIWAN:
16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673 Tel: 886-(0)2 2377 9936
Data and specifications subject to change without notice. 4/00
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4IBC20W | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRG4IBC30F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4IBC30FD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4IBC30S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRG4IBC30WPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4IBC20FDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4IBC20FDPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT |
| IRG4IBC20KD | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 11.5A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4IBC20KDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4IBC20UD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220 FULLPAK |
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