參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4IBC20KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
文件大?。?/td> 230K
代理商： IRG4IBC20KD
IRG4IBC20UD
www.irf.com
7
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. di
f
/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. di
f
/dt
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. di
f
/dt
Fig. 17
- Typical di
(rec)M
/dt vs. di
f
/dt
0
100
200
300
400
500
100
1000
di /dt - (A/μs)
R
Q
I = 16A
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
100
1000
10000
100
1000
di /dt - (A/μs)
d
I = 16A
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
1
10
100
100
1000
di /dt - (A/μs)
I
I
I = 16A
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
0
20
40
60
80
100
100
1000
dif
t
r
I = 16A
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
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PDF描述
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IRG4IBC20UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4IBC20W 功能描述:IGBT WARP 600V 11.8A TO-220FP RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4IBC20W_04 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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