參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4IBC20W
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 154K
代理商： IRG4IBC20W
IRG4IBC20W
www.irf.com
5
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
0
5
10
15
20
25
30
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
V
I
= 400V
= 6.5A
CC
C
0
10
R , Gate Resistance (Ohm)
20
30
40
50
0.12
0.13
0.14
0.15
T
V = 480V
V = 15V
T = 25 C
I = 6.5A
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
0.01
0.1
1
10
T , Junction Temperature ( C )
T
R = Ohm
V = 15V
V = 480V
I = A
13
I = A
6.5
I = A
3.25
1
10
100
0
200
400
600
800
1000
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4IBC30F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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IRG4IBC30S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC30WPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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