型號: | IRG4IBC20W |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
中文描述: | 絕緣柵雙極晶體管 |
文件頁數(shù): | 6/8頁 |
文件大?。?/td> | 154K |
代理商: | IRG4IBC20W |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRG4IBC30F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
IRG4IBC30FD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
IRG4IBC30S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRG4IBC30WPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRG4IBC30UD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRG4IBC20W_04 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRG4IBC20WPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IRG4IBC30F | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
IRG4IBC30FD | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 20.3A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
IRG4IBC30FD-103 | 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 31.000A FULLCOPAK 220 / IGBT : JA / |