參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4IBC30F
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 223K
代理商： IRG4IBC30F
IRG4IBC30FD
6
www.irf.com
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 13
- Maximum Forward Voltage Drop vs. Instantaneous Forward Current
T
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
0
10
20
30
40
I , Collector-to-Emitter Current (A)
A
R = 23
T = 150°C
V = 480V
V = 15V
GE
1
10
100
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
F
I
Forward Voltage Drop - V (V)
T = 150°C
T = 125°C
T = 25°C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
SAFE OPERATING AREA
V = 20V
T = 125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4IBC30FD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC30S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC30WPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC30UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC30KD GT 19C 19#16 SKT RECP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4IBC30FD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 20.3A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4IBC30FD-103 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 31.000A FULLCOPAK 220 / IGBT : JA /
IRG4IBC30FDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4IBC30KD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 17A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4IBC30KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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