參數資料
型號： IRG4IBC30KD
廠商： International Rectifier
英文描述： GT 19C 19#16 SKT RECP
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管
文件頁數： 8/8頁
文件大?。?/td> 254K
代理商： IRG4IBC30KD
IRG4IBC30WPbF
8
www.irf.com
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233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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06/04
TO-220 Full-Pak Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TO-220 Full-Pak Part Marking Information
WIT H AS S E MB L Y
L OT CODE 3432
AS S E MB L E D ON WW 24 1999
IN T H E AS S E MB L Y L INE "K "
E XAMP L E :
T H IS IS AN IR F I840G
P AR T NU MBE R
L OT CODE
AS S E MB L Y
INT E R NAT IONAL
R E CT IF IE R
L OGO
34 32
924K
IR FI840G
DAT E CODE
YE AR 9 = 1999
WE E K 24
L INE K
"P" in assembly line
Note:
相關PDF資料
PDF描述
irg4ibc30w INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC30FDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack 1GBT
IRG4PC30WPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC40UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50FD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
相關代理商/技術參數
參數描述
IRG4IBC30KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4IBC30S 功能描述:IGBT STD 600V 23.5A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4IBC30SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4IBC30UD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 17A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4IBC30UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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