參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PC50FD
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.45伏，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 39A條）
文件頁(yè)數(shù)： 10/10頁(yè)
文件大?。?/td> 211K
代理商： IRG4PC50FD
IRG4PC50FD
10
www.irf.com
Repetitive rating: V
GE
=20V; pulse width limited by maximum junction temperature (figure 20)
V
CC
=80
%(
V
CES
), V
GE
=20V, L=10μH, R
G
= 5.0
(figure 19)
Pulse width
≤
80μs; duty factor
≤
0.1%
.
Pulse width 5.0μs, single shot.
D im ensions in Millim eters and (Inches)
CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-247AC (TO-3P)
- D -
5.30 (.209)
4.70 (.185)
2.50 (.089)
1.50 (.059)
4
3.65 (.143)
3.55 (.140)
0.25 (.010)
3X
0.80 (.031)
0.40 (.016)
2.60 (.102)
2.20 (.087)
3.40 (.133)
3.00 (.118)
3X
0.25 (.010)
M
C
A
S
4.30 (.170)
3.70 (.145)
- C -
2X
5.50 (.217)
4.50 (.177)
5.50 (.217)
1.40 (.056)
1.00 (.039)
D
M
M
B
- A -
15.90 (.626)
15.30 (.602)
- B -
1
2
3
20.30 (.800)
19.70 (.775)
14.80 (.583)
14.20 (.559)
2.40 (.094)
2.00 (.079)
2X
5.45 (.215)
2X
*
N OTES:
1 DIMENSIONS & TOLERAN CIN G
PER AN SI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INC H.
3 DIMENSIONS A RE SHOW N
MILLIMETER S (INC HES).
4 CONFORMS TO JEDEC OU TLIN E
TO-247AC .
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - C OLLEC TOR
3 - EMITTER
4 - C OLLEC TOR
*
LONGER LE ADED (20m m)
V ERSION AVAILABLE (TO-247AD)
TO ORDER ADD "-E" SU FFIX
TO PAR T NU MBER
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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.
Data and specifications subject to change without notice. 12/00
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC50KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)
IRG4PC50UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC50F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
IRG4PC50K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)
IRG4PC50S INSULATED GATE BIPOLAR TANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.28V, @Vge=15V, Ic=41A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PC50FD-EPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V FAST 1-8 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50FDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V FAST 1-8 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50F-E 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 70.000A TO-247 / IGBT : JA / DISCRE
IRG4PC50F-EPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast IGBT GEN 4 1 to 5kHz 1.45V 39A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50FPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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