參數(shù)資料
型號： IRG4PC50KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.84V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 30A條）
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 211K
代理商： IRG4PC50KD
IRG4PC50FD
www.irf.com
5
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
T
T
3.50
4.00
4.50
5.00
0
10
20
30
40
50
60
A
R , Gate Resistance (
)
V = 480V
V = 15V
T = 25
°
C
I = 39A
J
1
10
100
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (
°
C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
A
I = 20A
I = 39A
I = 78A
R = 5.0
V = 15V
V = 480V
0
4
8
12
16
20
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
G
V
A
V = 400V
I = 39A
0
2000
4000
6000
8000
1
10
100
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
A
C
ies
C
res
C
oes
V
GE
= 0V f = 1 MHz
Cies = Cge + Cgc + Cce SHORTED
Cres = Cce
Coes = Cce + Cgc
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRG4PC50F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
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IRG4PC50S INSULATED GATE BIPOLAR TANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.28V, @Vge=15V, Ic=41A)
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參數(shù)描述
IRG4PC50KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50KPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 600V, 52A
IRG4PC50S 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC50SDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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