參數(shù)資料
型號(hào): IRG4PC50KD
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)
中文描述: 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復(fù)二極管(VCES和\u003d 600V電壓的Vce(on)典型.\u003d 1.84V,@和VGE \u003d 15V的,集成電路\u003d 30A條)
文件頁(yè)數(shù): 9/10頁(yè)
文件大小: 211K
代理商: IRG4PC50KD
IRG4PC50FD
www.irf.com
9
Vg
GATE SIG NAL
DEVICE UNDER TEST
CURRENT D.U.T.
VOLTAGE IN D.U.T.
CURRENT IN D1
t0
t1
t2
D.U.T.
V *
50V
L
1000V
6000μF
100V
R
L
=
480V
4 X I
C
@25
°
C
0 - 480V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC50UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC50F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
IRG4PC50K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)
IRG4PC50S INSULATED GATE BIPOLAR TANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.28V, @Vge=15V, Ic=41A)
IRG4PC50UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PC50KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50KPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 600V, 52A
IRG4PC50S 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC50SDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube