參數(shù)資料
型號： IRG4PC50UDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 697K
代理商： IRG4PC50UDPBF
IRG4PC50UDPbF
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum IGBT Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
1.0
1.5
2.0
2.5
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
C
V
V = 15V
80μs PULSE W IDTH
A
I = 54A
I = 27A
I = 14A
0
10
20
30
40
50
60
25
50
75
100
125
150
M
T , Case Temperature (°C)
V = 15V
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SIN GLE PU LS E
(TH ER MA L R ES PON SE )
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak TJ
DM
thJC
C
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PDF描述
IRG4PC50U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC60F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC60U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PH20 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4PH20K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
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參數(shù)描述
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