參數(shù)資料
型號： IRG4PC60F
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 118K
代理商： IRG4PC60F
IRG4PC60F
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(For square wave, I=I
RMS
of fundamental; for triangular wave, I=I
PK
)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
f , Frequency ( kHz )
0
40
80
120
160
L
For both:
Duty cycle : 50%
Tj = 125°C
Tsink = 90°C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 73W
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
VCE , Collector-to-Emitter Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
IC
TJ = 150°C
TJ = 25°C
VGE = 15V
20μs PULSE WIDTH
4
5
6
7
8
9
10
11
VGE, Gate-to-Emitter Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
IC
TJ = 150°C
TJ = 25°C
VCC = 10V
5μs PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC60U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PH20 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4PH20K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4PH20KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4PH30KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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參數(shù)描述
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IRG4PC60U 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC60U-P 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
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