參數(shù)資料
型號： IRG4PH20KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管（VCES和\u003d 1200伏，的Vce（on）典型.\u003d 3.17V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 5.0a中）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 229K
代理商： IRG4PH20KD
IRG4PH20K
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
L
0.1
1
10
100
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
T = 25 C
°
0
4
8
12
16
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125C
T = 90C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 15W
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
1
10
100
6
8
10
12
14
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
°
相關PDF資料
PDF描述
IRG4PH30KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PSC71K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.83V, @Vge=15V, Ic=60A)
IRG4PSC71UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.67V, @Vge=15V, Ic=60A)
IRG4PSC71KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.83V, @Vge=15V, Ic=60A)
IRG4PSC71U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.67V, @Vge=15V, Ic=60A)
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PH20KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PH20KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PH30 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
IRG4PH30K 功能描述:IGBT UFAST 1200V 20A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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