參數(shù)資料
型號: IRG4PSC71KD
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.83V, @Vge=15V, Ic=60A)
中文描述: 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復二極管(VCES和\u003d 600V電壓的Vce(on)典型.\u003d 1.83V,@和VGE \u003d 15V的,集成電路\u003d 60A條)
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大?。?/td> 253K
代理商: IRG4PSC71KD
IRG4PSC71UD
www.irf.com
7
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. di
f
/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. di
f
/dt
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. di
f
/dt
Fig. 17
- Typical di
(rec)M
/dt vs. di
f
/dt
0
40
80
120
160
200
100
1000
dif
I = 30A
I = 60A
I = 120A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
1
10
100
100
1000
di /dt - (A/μs)
I = 30A
I = 60A
I = 120A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
0
1000
2000
3000
4000
100
1000
di /dt - (A/μs)
I = 30A
I = 60A
I = 120A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
100
1000
10000
100
1000
di /dt - (A/μs)
I = 30A
I = 60A
I = 120A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
d
I
t
Q
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PSC71U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.67V, @Vge=15V, Ic=60A)
IRG4PSH71UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
IRG4PSH71U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PSH71 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
IRG4PSH71K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PSC71KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PSC71KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PSC71U 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT
IRG4PSC71UD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT
IRG4PSC71UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube