參數(shù)資料
型號： IRG4PSH71K
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 1200伏，的Vce（on）典型.\u003d 2.97V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 42A條）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 146K
代理商： IRG4PSH71K
IRG4PSH71K
2
www.irf.com
Parameter
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Collector Breakdown Voltage
V
(BR)CES
/
T
J
Temperature Coeff. of Breakdown Voltage
Min. Typ. Max. Units
1200
–––
18
–––
–––
1.1
–––
2.97
–––
3.44
–––
2.60
3.0
–––
–––
-12
25
38
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Conditions
V
(BR)CES
V
(BR)ECS
–––
–––
–––
3.9
–––
–––
6.0
–––
–––
500
2.0
5.0
±100
V
V
V
GE
= 0V, I
C
= 250μA
V
GE
= 0V, I
C
= 1.0A
V
GE
= 0V, I
C
= 10mA
I
C
= 42A V
GE
= 15V
I
C
= 78A
I
C
= 42A , T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
mV/°C V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.5mA
S
V
CE
= 50V, I
C
= 42A
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V, T
J
= 25°C
mA
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V, T
J
= 150°C
nA
V
GE
= ±20V
V/°C
V
CE(ON)
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
See Fig.2, 5
V
GE(th)
V
GE(th)
/
T
J
Temperature Coeff. of Threshold Voltage
g
fe
Forward Transconductance
Gate Threshold Voltage
I
GES
Switching Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Gate-to-Emitter Leakage Current
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
V
μA
Pulse width
≤
80μs; duty factor
≤
0.1%
Pulse width 5.0μs, single shot
Repetitive rating; V
= 20V, pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 13b )
V
= 80%(V
CES
), V
GE
= 20V, L =
10μH, R
G
= 5.0
,
(See fig. 13a)
Repetitive rating; pulse width limited by maximum
junction temperature
Parameter
Q
g
Total Gate Charge (turn-on)
Q
ge
Gate - Emitter Charge (turn-on)
Q
gc
Gate - Collector Charge (turn-on)
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
t
sc
Short Circuit Withstand Time
Min. Typ. Max. Units
—
410
—
47
—
145
—
45
—
38
—
220
—
160
—
2.35
—
3.14
—
5.49
10
—
Conditions
I
C
= 42A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
610
70
220
—
—
340
250
—
—
8.3
—
nC
See Fig.8
T
J
= 25°C
I
C
= 42A, V
CC
= 960V
V
GE
= 15V, R
G
= 5.0
Energy losses include "tail"
See Fig. 9,10,14
mJ
μs
V
CC
= 720V, T
J
= 125°C
V
GE
= 20V, R
G
= 5.0
T
J
= 150°C
I
C
= 42A, V
CC
= 960V
V
GE
= 15V, R
G
= 5.0
Energy losses include "tail"
See Fig. 10,11,14
Measured 5mm from package
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
= 1.0MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
ts
L
E
C
ies
C
oes
C
res
Notes:
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Switching Loss
Internal Emitter Inductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
—
—
—
—
—
—
—
—
—
42
41
460
250
11.5
13
5770
400
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
mJ
nH
pF
See Fig. 7
ns
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PSH71KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
IRGB10B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGS10B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGSL10B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB15B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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IRG4PSH71KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IRG4PSH71U 功能描述:IGBT UFAST 1200V 99A SUPER-247 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4PSH71UD 功能描述:IGBT W/DIODE 1200V 99A SUPER-247 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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