參數(shù)資料
型號(hào): IRGB10B60KD
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述: 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù): 11/15頁(yè)
文件大?。?/td> 324K
代理商: IRGB10B60KD
IRG/B/S/SL10B60KD
www.irf.com
11
-100
0
100
200
300
400
500
600
-0.20
0.00
0.20
0.40
0.60
0.80
time(μs)
V
C
-2
0
2
4
6
8
10
12
I
C
90% I
CE
5% V
CE
5% I
CE
Eoff Loss
tf
-100
0
100
200
300
400
500
600
15.90
16.00
16.10
16.20
time (μs)
V
C
-5
0
5
10
15
20
25
30
I
C
TEST CURRENT
90% test current
5% V
CE
10% test current
tr
Eon Loss
-600
-500
-400
-300
-200
-100
0
100
-0.15
-0.05
0.05
0.15
0.25
time (μS)
V
F
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
I
F
Peak
I
RR
t
RR
Q
RR
10%
Peak
IRR
0
-5.00
50
100
150
200
250
300
350
400
0.00
5.00
10.00
15.00
time (μS)
V
C
0
50
100
I
C
V
CE
I
CE
Fig. WF3- Typ. Diode Recovery Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF4- Typ. S.C Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.3
Fig. WF1- Typ. Turn-off Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF2- Typ. Turn-on Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGS10B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGSL10B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB15B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGS15B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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參數(shù)描述
IRGB10B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB14C40L 功能描述:IGBT IGNITION 430V 20A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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IRGB15B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube