參數(shù)資料
型號(hào)： IRLR3114ZPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大小： 756K
代理商： IRLR3114ZPBF
2
www.irf.com
S
D
G
S
D
G
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
40
–––
–––
–––
1.0
98
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.032
–––
3.9
4.9
5.2
6.5
–––
2.5
–––
–––
–––
20
–––
250
–––
100
–––
-100
40
56
12
–––
18
–––
25
–––
140
–––
33
–––
50
–––
4.5
–––
V
V/°C
m
V
GS(th)
gfs
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
V
S
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Internal Drain Inductance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
L
D
nC
ns
Between lead,
nH
6mm (0.25in.)
from package
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 32V
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
3810
650
350
2390
580
820
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
130
A
–––
–––
500
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
30
27
1.3
45
41
V
ns
nC
V
GS
= 4.5V, I
D
= 42A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 42A
V
DS
= 20V
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 20V
I
D
= 42A
R
G
= 3.7
V
DS
= 10V, I
D
= 42A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
Conditions
V
GS
= 4.5V
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 42A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 42A, V
DD
= 20V
di/dt = 100A/μs
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 42A
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PDF描述
IRLU3114ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRLR3303 Power MOSFET
IRLR3410 HEXFET Power MOSFET
IRLU3410 HEXFET Power MOSFET
IRLR3714 SMPS MOSFET
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參數(shù)描述
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IRLR3303 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR3303HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRLR3303TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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