參數(shù)資料
型號： IRLR3303
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： IRLR3303
IRLR/U3303
2
www.irf.com
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 20A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 20A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
72
180
1.3
110
280
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
35
140
A
V
DD
= 15V, starting T
J
= 25°C, L =470μH
R
G
= 25
, I
AS
= 20A. (See Figure 12)
I
SD
≤
20A, di/dt
≤
140A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
This is applied for I-PAK, L
S
of D-PAK is measured between
lead and center of die contact.
Uses IRL3303 data and test conditions.
Notes:
Caculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature; Package limitation current = 20A.
Parameter
Min.
30
–––
–––
–––
1.0
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.035
–––
––– 0.031
––– 0.045
–––
–––
–––
–––
–––
25
–––
250
–––
100
–––
-100
–––
26
–––
8.8
–––
15
7.4
–––
200
–––
14
–––
36
–––
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 21A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 17A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 20A
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 20A
V
DS
= 24V
V
GS
= 4.5V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 15V
I
D
= 20A
R
G
= 6.5
,
V
GS
= 4.5V
R
D
= 0.70
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
ns
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
870
340
170
–––
–––
–––
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
nH
I
GSS
S
D
G
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
L
D
Internal Drain Inductance
–––
4.5 –––
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
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