參數(shù)資料
型號(hào)： IRLR7811W
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 103K
代理商： IRLR7811W
IRLR7811W
8
www.irf.com
TO-252AA (D-Pak) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TO-252AA (D-Pak) Part Marking Information
6.73 (.265)
6.35 (.250)
- A -
4
1 2 3
6.22 (.245)
5.97 (.235)
- B -
3X
0.89 (.035)
0.64 (.025)
0.25 (.010) M A M B
4.57 (.180)
2.28 (.090)
2X
1.14 (.045)
0.76 (.030)
1.52 (.060)
1.15 (.045)
1.02 (.040)
1.64 (.025)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
1.27 (.050)
0.88 (.035)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
6.45 (.245)
5.68 (.224)
0.51 (.020)
MIN.
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LEAD ASSIG NMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOUR CE
4 - DRAIN
10.42 (.410)
9.40 (.370)
NOTES:
1 DIMEN SIONING & TO LERANCING PER ANSI Y 14.5M, 1982.
2 CO NTR OLLING DIMENSION : INCH.
3 CO NFOR MS TO JEDEC OUTLINE TO-252AA.
4 DIMEN SIONS SHO W N ARE BEFORE SOLD ER D IP,
SOLDER DIP MAX. +0.16 (.006).
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
34
12
IRFU120
916A
LOT CODE
ASSEMBLY
EXAMPLE:
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 1234
THIS IS AN IRFR120
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
DATE CODE
LINE A
IN THE ASSEMBLY LINE "A"
ASSEMBLED ON WW 16, 1999
PART NUMBER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR7821 HEXFET Power MOSFET
IRLU7821 HEXFET Power MOSFET
IRLR7833PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max = 4.5mヘ , Qg = 33nC )
IRLU7833PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max = 4.5mヘ , Qg = 33nC )
IRLR7833 Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLR7811WCPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7811WCTRLP 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7811WCTRRP 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7811WHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 64A 3PIN DPAK - Bulk
IRLR7811WPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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