參數(shù)資料
型號(hào)： IRLR8203
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大小： 118K
代理商： IRLR8203
IRLR/U8203
2
www.irf.com
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 12A, V
GS
= 0V
T
J
= 125
°
C, I
S
= 12A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 12A, V
R
=15V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125
°
C, I
F
= 12A, V
R
=15V
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.75
0.65
48
62
49
67
1.3
–––
72
92
74
100
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
oss
Output Gate Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
ns
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
310
30
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Diode Characteristics
110
120
A
Min. Typ. Max. Units
35
–––
–––
33
–––
5.7
–––
17
–––
23
–––
15
–––
99
–––
30
–––
69
–––
2430
–––
–––
1200
–––
–––
250
Conditions
V
DS
= 15V, I
D
= 12A
–––
50 I
D
= 12A
8.5
nC
25
34
–––
–––
–––
–––
S
V
DS
= 24V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, V
DS
= 10V
V
DD
= 15V
I
D
= 12A
R
G
= 6.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
–––
pF
V
SD
Diode Forward Voltage
Static @ T
J
= 25
°
C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.027
–––
V/
°
C Reference to 25
°
C, I
D
= 1mA
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
1.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
30
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
5.6
7.1
–––
–––
–––
–––
–––
6.8
9.0
3.0
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125
°
C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR8203PBF SMPS MOSFET
IRLU014 HEXFET POWER MOSFET
IRLR014 HEXFET POWER MOSFET
IRLU2705 HEXFET POWER MOSFET
IRLU3103 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.019ohm, Id=46A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRLR8259TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 25V 57A 8.7mOhm 6.8nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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