參數(shù)資料
型號(hào)： IRLR8203PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大小： 118K
代理商： IRLR8203PBF
www.irf.com
1
03/12/02
IRLR8203
IRLU8203
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
R
DS(on)
max
6.8m
V
DSS
30V
I
D
110A
Notes
through are on page 10
D-Pak I-Pak
IRLR8203 IRLU8203
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
C
= 25
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 100
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
C
= 25
°
C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
C
= 100
°
C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.92 W/
°
C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
30
Units
V
Drain-Source Voltage
± 20 V
110
76
120
140
69
A
W
W
-55 to + 175
°
C
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.09
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°
C/W
Thermal Resistance
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
Applications
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low RDS(on) at 4.5V V
GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
PD - 94404
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PDF描述
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參數(shù)描述
IRLR8256PBF 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 5.7mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR8256TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 25V 81A 5.7mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR8259PBF 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 8.7mOhms 6.8nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR8259TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 25V 57A 8.7mOhm 6.8nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR8503 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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