參數(shù)資料
型號(hào)： IRLR8203PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開(kāi)關(guān)電源
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大小： 118K
代理商： IRLR8203PBF
IRLR/U8203
8
www.irf.com
D-Pak (TO-252AA) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
D-Pak (TO-252AA) Part Marking Information
6.73 (.265)
6.35 (.250)
- A -
4
1 2 3
6.22 (.245)
5.97 (.235)
- B -
3X
0.89 (.035)
0.64 (.025)
0.25 (.010) M A M B
4.57 (.180)
2.28 (.090)
2X
1.14 (.045)
0.76 (.030)
1.52 (.060)
1.15 (.045)
1.02 (.040)
1.64 (.025)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
1.27 (.050)
0.88 (.035)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
6.45 (.245)
5.68 (.224)
0.51 (.020)
MIN.
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LEAD ASSIG NMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOUR CE
4 - DRAIN
10.42 (.410)
9.40 (.370)
N OTES:
1 D IMENSION ING & TOLERANCIN G PER ANSI Y 14.5M, 1982.
2 C ONTROLLING DIMEN SION : INCH.
3 C ONFO RMS TO JEDEC OUTLINE TO-252AA.
4 D IMENSION S SH OW N ARE BEFORE SOLD ER DIP,
SOLD ER D IP MAX. +0.16 (.006).
IRFU120
916A
34
LOT CODE
ASSEMBLY
EXAMPLE:
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 1234
THIS IS AN IRFR120
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
DATE CODE
LINE A
IN THE ASSEMBLY LINE "A"
ASSEMBLED ON WW 16, 1999
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLU014 HEXFET POWER MOSFET
IRLR014 HEXFET POWER MOSFET
IRLU2705 HEXFET POWER MOSFET
IRLU3103 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.019ohm, Id=46A)
IRLU9343-701 DIODE MED-FAST BAS116 80VR 250MA 1.25VF@150MA 1.5US TO-236AB -55+150C
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLR8256PBF 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 5.7mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR8256TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 25V 81A 5.7mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR8259PBF 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 8.7mOhms 6.8nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR8259TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 25V 57A 8.7mOhm 6.8nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR8503 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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