參數(shù)資料
型號(hào)： IRLZ34N
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 114K
代理商： IRLZ34N
IRLZ34N
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
V
DS
L
D.U.T.
V
DD
I
AS
t
p
0.01
R
G
+
-
t
p
V
DS
I
AS
V
DD
V
(BR)DSS
5.0 V
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
0
50
100
150
200
250
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 6.6A
11A
BOTTOM 16A
D
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
5.0 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLZ44N Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A)
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IRLZ44ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5mヘ , ID = 51A)
IRLZ44ZSPBF AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5mヘ , ID = 51A)
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參數(shù)描述
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