參數(shù)資料
型號(hào): ISL9K860P3
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 8A, 600V Stealth⑩ Dual Diode
中文描述: 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù): 5/6頁(yè)
文件大小: 144K
代理商: ISL9K860P3
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9K860P3 Rev. C
I
l.l
Test Circuits and Waveforms
Figure 12. t
rr
Test Circuit
Figure 13. t
rr
Waveforms and Definitions
Figure 14. Avalanche Energy Test Circuit
Figure 15. Avalanche Current and Voltage
Waveforms
R
G
L
V
DD
MOSFET
CURRENT
SENSE
DUT
V
GE
t
1
t
2
V
GE
AMPLITUDE AND
R
CONTROL dI
/dt
t
1
AND t
2
CONTROL I
F
+
-
dt
dI
F
I
F
t
rr
t
a
t
b
0
I
RM
0.25 I
RM
DUT
CURRENT
SENSE
+
L
R
V
DD
R < 0.1
V
DD
= 50V
E
AVL
= 1/2LI
2
[V
R(AVL)
/(V
R(AVL)
- V
DD
)]
Q
1
= IGBT (BV
CES
> DUT V
R(AVL)
)
-
Q1
I = 1A
L = 40mH
I V
t
0
t
1
t
2
I
L
V
AVL
t
I
L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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ISL9N302AP3 功能描述:MOSFET N-Channel PWM Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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