參數(shù)資料
型號(hào)： ISL9N315AD3ST
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET?? Trench Power MOSFETs
中文描述： 30 A, 30 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： TO-252AA, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大?。?/td> 238K
代理商： ISL9N315AD3ST
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9N315AD3/ISL9N315AD3ST Rev.A1
I
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveforms
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= 1V
Q
g(5)
V
GS
= 5V
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
Q
gs
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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ISL9N7030BLS3ST 30V, 0.009 Ohm, 75A, N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs
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ISL9R1560S2 15A, 600V Stealth⑩ Diode
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參數(shù)描述
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ISL9N318AD3ST 功能描述:MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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